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FDB050AN06A0|FAIRCHILDFDB050AN06A0
FAIRCHILD
60 V、80 A、10 V 时漏源导通电阻为5 Mohm、61 nCQg、D2PAK
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FDB050AN06A0|Fairchild SemiconductorFDB050AN06A0
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
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Fairchild/ON Semiconductor - FDB050AN06A0 - MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 245W(Tc) D2PAK(TO-263AB)

型号:FDB050AN06A0
仓库库存编号:FDB050AN06A0CT-ND
别名:FDB050AN06A0CT <br>

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Fairchild Semiconductor - FDB050AN06A0 - Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB050AN06A0, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
FDB050AN06A0
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0809
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