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Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK0
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Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK0
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Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK0
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Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 650V 8.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R19000
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Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 650V, 8.7A, 310W, PG-TO263-30
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IPB65R420CFD|Infineon TechnologiesIPB65R420CFD
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
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Infineon Technologies
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Infineon - IPB65R420CFD - Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPB65R420CFD, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号:
IPB65R420CFD
品牌:
Infineon
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906-2959
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Infineon Technologies - IPB65R420CFD - MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263

详细描述:表面贴装 N 沟道 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO263

型号:IPB65R420CFD
仓库库存编号:IPB65R420CFDCT-ND
别名:IPB65R420CFDCT <br>

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IPB65R420CFD|Infineon TechnologiesIPB65R420CFD
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.7A TO263
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IPB65R420CFD|Infineon TechnologiesIPB65R420CFD
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
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IPB65R420CFDATMA1
INFINEON IPB65R420CFDATMA1
2480808

INFINEON

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 650 V, 0.378 ohm, 10 V, 4 V

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INFINEON IPB65R420CFDATMA1
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INFINEON

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 650 V, 0.378 ohm, 10 V, 4 V

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