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SI7852ADP-T1-GE3
库存编号:SI7852ADP-T1-GE3TR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-80
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SI7852ADP-T1-GE3
库存编号:SI7852ADP-T1-GE3CT-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-80
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SI7852ADP-T1-GE3
库存编号:SI7852ADP-T1-GE3DKR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-80
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SI7852ADP-T1-GE3
库存编号:781-SI7852ADP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies MOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V0
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Vishay Intertechnologies MOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V0
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SI7852ADP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies MOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V0
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SI7852ADP-T1-GE3 Vishay Intertechnologies POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 80V, 0.017OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET252
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Vishay Siliconix - SI7852ADP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8

型号:SI7852ADP-T1-GE3
仓库库存编号:SI7852ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7852ADP-T1-GE3CT <br>

无铅
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SI7852ADP-T1-GE3
VISHAY SI7852ADP-T1-GE3
1772416

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 80V, 30A, SOIC

(EN)
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SI7852ADP-T1-GE3|VISHAYSI7852ADP-T1-GE3
VISHAY
80 V 30 A 17 Mohm 漏源导通电阻 当10 V时 30.5 nC Qg PPAK SO-8
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SI7852ADP-T1-GE3|VISHAYSI7852ADP-T1-GE3
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80 V 30 A 17 Mohm 漏源导通电阻 当10 V时 30.5 nC Qg PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK 8SOIC
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Vishay Siliconix
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