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SPB08P06P|Infineon TechnologiesSPB08P06P
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
Rohs

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SPB08P06P G|INFINEONSPB08P06P G
INFINEON
场效应管 MOSFET P沟道 60V 8.8A TO-263
Rohs

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SPB08P06P G|Infineon TechnologiesSPB08P06P G
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
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MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
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SPB08P06P G|Infineon TechnologiesSPB08P06P G
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MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
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SPB-08|3M Electronic SpecialtySPB-08
3M Electronic Specialty
电线鉴定 0-90 A-Z + - / BOOK
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无图SPB08N03L
Infineon Technologies
原厂原装货
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SPB08P06P|Infineon TechnologiesSPB08P06P
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
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SPB08P06P G|INFINEONSPB08P06P G
INFINEON
场效应管 MOSFET P沟道 60V 8.8A TO-263
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无图SPB08P06PGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB08P06PGXT|Infineon TechnologiesSPB08P06PGXT
Infineon Technologies
原厂原装货
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SPB08P06PGATMA1
INFINEON SPB08P06PGATMA1
2212898

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -60 V, 0.221 ohm, -10 V, -3 V

(EN)
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  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

3M - SPB-08 - WIRE MARK 1-15, 16-90, A-Z, SYM
3M
WIRE MARK 1-15, 16-90, A-Z, SYM

详细描述:Wire Marker, Book (Perforated) 0.22" W x 1.37" L (5.6mm x 34.8mm) White Vinyl Cloth

型号:SPB-08
仓库库存编号:SPB-08-ND
别名:00054007499589 <br>05400749958 <br>80610596977 <br>

无铅
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Infineon Technologies - SPB08P06P - MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Ta) 42W(Tc) PG-TO263-3-2

型号:SPB08P06P
仓库库存编号:SPB08P06P-ND
别名:SP000012508 <br>SPB08P06PT <br>
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Infineon Technologies - SPB08P06PGATMA1 - MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Ta) 42W(Tc) PG-TO263-2

型号:SPB08P06PGATMA1
仓库库存编号:SPB08P06PGATMA1TR-ND
别名:SP000102179 <br>SPB08P06P G <br>SPB08P06P G-ND <br>SPB08P06PGINTR <br>SPB08P06PGINTR-ND <br>SPB08P06PGXT <br>

无铅
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Infineon - SPB08P06P G - Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB08P06P G, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号:
SPB08P06P G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2201
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QQ:800152669
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