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Infineon - SPB08P06P G - Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB08P06P G, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号:
SPB08P06P G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2201
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Infineon Technologies - SPB08P06P - MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Ta) 42W(Tc) PG-TO263-3-2

型号:SPB08P06P
仓库库存编号:SPB08P06P-ND
别名:SP000012508 <br>SPB08P06PT <br>
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Infineon Technologies - SPB08P06PGATMA1 - MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Ta) 42W(Tc) PG-TO263-2

型号:SPB08P06PGATMA1
仓库库存编号:SPB08P06PGATMA1TR-ND
别名:SP000102179 <br>SPB08P06P G <br>SPB08P06P G-ND <br>SPB08P06PGINTR <br>SPB08P06PGINTR-ND <br>SPB08P06PGXT <br>

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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
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SPB08P06P G|INFINEONSPB08P06P G
INFINEON
场效应管 MOSFET P沟道 60V 8.8A TO-263
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INFINEON TECHNOLOGIES AG
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB08P06PGXT|Infineon TechnologiesSPB08P06PGXT
Infineon Technologies
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SPB08P06PGATMA1
INFINEON SPB08P06PGATMA1
2212898

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -60 V, 0.221 ohm, -10 V, -3 V

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