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Infineon Technologies - SPB08P06PGATMA1 - MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263		Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-2

型号：SPB08P06PGATMA1
仓库库存编号：SPB08P06PGATMA1TR-ND
别名：SP000102179 <br>SPB08P06P G <br>SPB08P06P G-ND <br>SPB08P06PGINTR <br>SPB08P06PGINTR-ND <br>SPB08P06PGXT <br>

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Infineon - SPB08P06P G - Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB08P06P G, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
制造商零件编号：
SPB08P06P G
品牌：
Infineon
库存编号：
892-2201
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INFINEON		场效应管 MOSFET P沟道 60V 8.8A TO-263
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Infineon Technologies		MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
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INFINEON		场效应管 MOSFET P沟道 60V 8.8A TO-263
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无图SPB08P06PGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG		Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB08P06PGXT|Infineon TechnologiesSPB08P06PGXT
Infineon Technologies		原厂原装货
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