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Infineon Technologies - SPB08P06PGATMA1 - MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Ta) 42W(Tc) PG-TO263-2

型号:SPB08P06PGATMA1
仓库库存编号:SPB08P06PGATMA1TR-ND
别名:SP000102179 <br>SPB08P06P G <br>SPB08P06P G-ND <br>SPB08P06PGINTR <br>SPB08P06PGINTR-ND <br>SPB08P06PGXT <br>

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SPB08P06PGATMA1
INFINEON SPB08P06PGATMA1
2212898

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -60 V, 0.221 ohm, -10 V, -3 V

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无图SPB08P06PGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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