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SPB80P06PGATMA1
INFINEON SPB80P06PGATMA1
2212850

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V

(EN)
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SPB80P06PGATMA1
INFINEON SPB80P06PGATMA1
2212850RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V

(EN)
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Infineon Technologies - SPB80P06P - MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 80A(Tc) 340W(Tc) PG-TO263-3-2

型号:SPB80P06P
仓库库存编号:SPB80P06P-ND
别名:SP000012841 <br>SPB80P06PT <br>
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Infineon Technologies - SPB80P06P G - MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A TO-263

详细描述:表面贴装 P 沟道 80A(Tc) 340W(Tc) PG-TO263-3-2

型号:SPB80P06P G
仓库库存编号:SPB80P06PGINCT-ND
别名:SPB80P06PGINCT <br>

无铅
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Infineon - SPB80P06P G - Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB80P06P G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号:
SPB80P06P G
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3166
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SPB80P06P|Infineon TechnologiesSPB80P06P
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
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SPB80P06P G|INFINEONSPB80P06P G
INFINEON
场效应管 MOSFET P沟道 60V 80A TO-263
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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SPB80P06P G|Infineon TechnologiesSPB80P06P G
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
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