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IPB123N10N3 G|Infineon TechnologiesIPB123N10N3 G
Infineon Technologies		MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
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Infineon - IPB123N10N3G - Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB123N10N3G, 58 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
制造商零件编号：
IPB123N10N3G
品牌：
Infineon
库存编号：
826-9036
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IPB123N10N3GATMA1
INFINEON IPB123N10N3GATMA1		2443384

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 100 V, 0.0107 ohm, 10 V, 2.7 V

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IPB123N10N3GATMA1
INFINEON IPB123N10N3GATMA1		2443384RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 100 V, 0.0107 ohm, 10 V, 2.7 V

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Infineon Technologies - IPB123N10N3 G - MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2

型号：IPB123N10N3 G
仓库库存编号：IPB123N10N3 GCT-ND
别名：IPB123N10N3 GCT <br>

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