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STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V

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STMicroelectronics - STB21NM60ND - STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号:
STB21NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
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STMicroelectronics - STB21NM60ND - MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 140W(Tc) D2PAK

型号:STB21NM60ND
仓库库存编号:497-8471-1-ND
别名:497-8471-1 <br>

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