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EPC 徽标图片EPC 是增强模式氮化镓型功率管理器件领导厂商。 EPC 第一个推出增强模式硅基氮化镓 (eGaN) FET,可替代众多应用中的功率 MOSFET,如 DC-DC 转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、 遥感技术 (LiDAR) 以及 D 类音频放大器,其性能高于最好的硅功率 MOSFET 数倍。

 

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比较零件 Datasheets 仓库零件编号 制造商零件编号 制造商 描述 包装 系列 零件状态 FET 类型 技术 漏源极电压(Vdss) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) Vgs (Max) 不同 Vds 时的输入电容(Ciss) FET 功能 功率耗散(最大值) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 工作温度 安装类型 供应商器件封装 封装/外壳
 
EPC2038ENGR Datasheet 917-EPC2038ENGRTR-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE 带卷(TR)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 100V 500mA(Ta) 5V 2.5V @ 20μA 0.04nC @ 5V +6V, -4V 7pF @ 50V
-
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2.8 欧姆 @ 50mA,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC2038ENGR Datasheet 917-EPC2038ENGRCT-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE 剪切带(CT)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 100V 500mA(Ta) 5V 2.5V @ 20μA 0.04nC @ 5V +6V, -4V 7pF @ 50V
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2.8 欧姆 @ 50mA,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC2038ENGR Datasheet 917-EPC2038ENGRDKR-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE szcwdz-Reel?? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 100V 500mA(Ta) 5V 2.5V @ 20μA 0.04nC @ 5V +6V, -4V 7pF @ 50V
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2.8 欧姆 @ 50mA,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC2014C Datasheet 917-1082-2-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE 带卷(TR)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 40V 10A(Ta) 5V 2.5V @ 2mA 2.5nC @ 5V +6V, -4V 300pF @ 20V
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16 毫欧 @ 10A, 5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具剖面(5 焊条) 模具
EPC2014C Datasheet 917-1082-1-ND

该零件符合 RoHS 规范 新产品
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE 剪切带(CT)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 40V 10A(Ta) 5V 2.5V @ 2mA 2.5nC @ 5V +6V, -4V 300pF @ 20V
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16 毫欧 @ 10A, 5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具剖面(5 焊条) 模具
EPC2014C Datasheet 917-1082-6-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE szcwdz-Reel?? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 40V 10A(Ta) 5V 2.5V @ 2mA 2.5nC @ 5V +6V, -4V 300pF @ 20V
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16 毫欧 @ 10A, 5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具剖面(5 焊条) 模具
EPC2007C Datasheet 917-1081-2-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 带卷(TR)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 100V 6A(Ta) 5V 2.5V @ 1.2mA 2.2nC @ 5V +6V, -4V 220pF @ 50V
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30 毫欧 @ 6A,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具剖面(5 焊条) 模具
EPC2007C Datasheet 917-1081-1-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 剪切带(CT)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 100V 6A(Ta) 5V 2.5V @ 1.2mA 2.2nC @ 5V +6V, -4V 220pF @ 50V
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30 毫欧 @ 6A,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具剖面(5 焊条) 模具
EPC2007C Datasheet 917-1081-6-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE szcwdz-Reel?? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 100V 6A(Ta) 5V 2.5V @ 1.2mA 2.2nC @ 5V +6V, -4V 220pF @ 50V
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30 毫欧 @ 6A,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具剖面(5 焊条) 模具
EPC2012C Datasheet 917-1084-2-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE 带卷(TR)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 200V 5A(Ta) 5V 2.5V @ 1mA 1.3nC @ 5V +6V, -4V 140pF @ 100V
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100 毫欧 @ 3A,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具剖面(4 焊条) 模具
EPC2012C Datasheet 917-1084-1-ND

该零件符合 RoHS 规范 新产品
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE 剪切带(CT)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 200V 5A(Ta) 5V 2.5V @ 1mA 1.3nC @ 5V +6V, -4V 140pF @ 100V
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100 毫欧 @ 3A,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具剖面(4 焊条) 模具
EPC2012C Datasheet 917-1084-6-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE szcwdz-Reel?? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 200V 5A(Ta) 5V 2.5V @ 1mA 1.3nC @ 5V +6V, -4V 140pF @ 100V
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100 毫欧 @ 3A,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具剖面(4 焊条) 模具
EPC2016C Datasheet 917-1080-2-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE 带卷(TR)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 100V 18A(Ta) 5V 2.5V @ 3mA 4.5nC @ 5V +6V, -4V 420pF @ 50V
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16 毫欧 @ 11A,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC2016C Datasheet 917-1080-1-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE 剪切带(CT)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 100V 18A(Ta) 5V 2.5V @ 3mA 4.5nC @ 5V +6V, -4V 420pF @ 50V
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16 毫欧 @ 11A,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC2016C Datasheet 917-1080-6-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE szcwdz-Reel?? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 100V 18A(Ta) 5V 2.5V @ 3mA 4.5nC @ 5V +6V, -4V 420pF @ 50V
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16 毫欧 @ 11A,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC2019 Datasheet 917-1087-2-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE 带卷(TR)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 200V 8.5A(Ta) 5V 2.5V @ 1.5mA 2.5nC @ 5V +6V, -4V 270pF @ 100V
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50 毫欧 @ 7A、5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC2019 Datasheet 917-1087-1-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE 剪切带(CT)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 200V 8.5A(Ta) 5V 2.5V @ 1.5mA 2.5nC @ 5V +6V, -4V 270pF @ 100V
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50 毫欧 @ 7A、5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC2019 Datasheet 917-1087-6-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE szcwdz-Reel?? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 200V 8.5A(Ta) 5V 2.5V @ 1.5mA 2.5nC @ 5V +6V, -4V 270pF @ 100V
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50 毫欧 @ 7A、5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC8009 Datasheet 917-1078-2-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE 带卷(TR)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 65V 2.7A(Ta) 5V 2.5V @ 250μA 0.45nC @ 5V +6V, -4V 52pF @ 32.5V
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130 毫欧 @ 500mA,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC8009 Datasheet 917-1078-1-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE 剪切带(CT)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 65V 2.7A(Ta) 5V 2.5V @ 250μA 0.45nC @ 5V +6V, -4V 52pF @ 32.5V
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130 毫欧 @ 500mA,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC8009 Datasheet 917-1078-6-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE szcwdz-Reel?? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 65V 2.7A(Ta) 5V 2.5V @ 250μA 0.45nC @ 5V +6V, -4V 52pF @ 32.5V
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130 毫欧 @ 500mA,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC8010 Datasheet 917-1086-2-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 带卷(TR)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 100V 2.7A(Ta) 5V 2.5V @ 250μA 0.48nC @ 5V +6V, -4V 55pF @ 50V
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160 毫欧 @ 500mA,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC8010 Datasheet 917-1086-1-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 剪切带(CT)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 100V 2.7A(Ta) 5V 2.5V @ 250μA 0.48nC @ 5V +6V, -4V 55pF @ 50V
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160 毫欧 @ 500mA,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC8010 Datasheet 917-1086-6-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE szcwdz-Reel?? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 100V 2.7A(Ta) 5V 2.5V @ 250μA 0.48nC @ 5V +6V, -4V 55pF @ 50V
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160 毫欧 @ 500mA,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具 模具
EPC2015 Datasheet 917-1019-2-ND

该零件符合 RoHS 规范
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 带卷(TR)? 
可替代的包装
eGaN? 在售 N 沟道 GaNFET (Gallium Nitride) 40V 33A(Ta) 5V 2.5V @ 9mA 11.6nC @ 5V +6V, -5V 1200pF @ 20V
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4 毫欧 @ 33A,5V -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 模具剖面(11 焊条) 模具
客服电话:400-900-3095
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